| Marke | Ixys Corporation |
| Produkt | IXFN55N50 |
| Beschreibung | Diskrete Halbleitermodule |
| Interner Code | IMP4309833 |
| Gewicht | 0.03 |
| Technische Spezifikation | 55 Amps 500V 0.08 Rd s RoHS-konform Anzahl der Kanäle: 1 Channel Transistorpolung: N-Channel Abfallzeit: 45 ns Id - Drain-Gleichstrom: 55 A Pd - Verlustleistung: 625 W Produkt-Typ: Discrete Semiconductor Modules Rds On - Drain-Source-Widerstand: 90 mOhms Anstiegszeit: 60 ns Verpackung ab Werk: 10 Unterkategorie: Discrete Semiconductor Modules Handelsname: HyperFET Regelabschaltverzögerungszeit: 120 ns Typische Einschaltverzögerungszeit: 45 ns Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 500 V |
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